Autoryzowany dystrybutor:

PREVAC sp. z o. o. is an authorized representative of Leybold

Zawory próżniowe

Zapytaj o produkt

Zaawansowane systemy MBE

Zaawansowane, wielokomorowe platformy do technologii wzrostu cienkich warstw, zaprojektowane z myślą o maksymalnej kompatybilności z innymi technikami, pomocniczym sprzętem i wszelkimi akcesoriami.  

Wszechstronna, modułowa konstrukcja umożliwia łatwą rozbudowę platformy badawczej i integrację z dowolnymi innymi aparaturami HV/UHV do osadzania, analizy lub przygotowania, np. radialnej komory dystrybucyjnej lub transferu tunelowego. 

Aparatura jest przeznaczona do tworzenia monokryształów i umożliwia charakteryzowanie in situ właściwości magnetycznych, topografii, krystalografii, grubości monowarstw etc. 

SKU: 329-2 Kategoria:

Cechy

  • Indywidualne rozwiązania dla techniki MBE i innych technologii powierzchniowych
  • Idealna do wzrostu cienkich warstw z pierwiastków z grup III/V, II/VI oraz innych heterostruktur
  • Do 10 komórek efuzyjnych w portach DN 63CF, wraz z zasilaczami
  • Kraker z zasilaczem
  • Piec elektronowy wysokiej mocy z zasialczem
  • 1-4 osiowy zmotoryzowany lub manualny manipulator ze stacją odbiorczą do osiągania wysokich temperatur do 1400°C (ze stabilnym elementem grzejnym o długiej żywotności wykonanym z SiC)
  • Różne rozmiary nośników substratu/podłoża: od 10×10 mm do 8 cali
  • Ciśnienie bazowe pomiędzy 5×10-10 – 5×10-11 mbar
  • Komora procesowa Ø 300 lub 450 mm z wymienną dolną flanszą (np. z 10 portami o rozmiarze DN 63CF dla źródeł w komorze Ø 450 mm)
  • System pompowania (oparty na konfiguracji pomp próżni wstępnej, turbomolekularnej, jonowej i TSP)
  • Waga kwarcowa z wyposażeniem do pomiaru grubości osadzania cienkich warstw, wraz z przesuwem liniowym
  • Dyfraktrometr RHEED/TorrRHEED z oprzyrządowaniem
  • Dodatkowe niezależne przesłony na portach DN63CF
  • Komora załadowcza dla nośników próbek
  • Niezawodny i szybki liniowy system transferowania próbek z komory załadowczej do komory procesowej
  • Wewnętrzna osłona przed zanieczyszczeniem ścian komory procesowej
  • Próżniomierze z wyposażeniem 
  • Okna obserwacyjne z przesłonami
  • Układ chłodzenia z integrowaną linią przedmuchu przed wygrzewaniem aparatury
  • Układ wygrzewania aparatury
  • Regulowana i sztywna rama główna aparatury
  • Modułowa rama przygotowana do rozbudowy
  • Szeroki zakres rozwiązań do przygotownaia podłoży tj. komory rękawicowe, łupaczki, w pełni wyposażone komory przygotowawcze z możliwością grzania, chłodzenia, trawienia itd.
  • Szafa sterownicza 19″ z elektroniką
  • Dedykowany panel sterujący HMI do łatwego sterowania i monitorowania procesu
  • Oprogramowanie Synthesium do pełnej kontroli nad procesem osadzania i sterowania poszczególnymi urządzeniami

Opis

Komora procesowa zawiera 10 porty dla źródeł napylających wraz stolikiem na podłoże jest przeznaczony dla próbek o średnicy do 4 cali, z opcją grzania i obracania podczas procesu. Proces osadzania cienkich warstw można realizować w szerokim zakresie temperatur (od temperatur ciekłego azotu LN2 do 1400˚C) i można go w pełni programować i kontrolować za pomocą sterownika PLC. 

Komora procesowa wyposażona jest w kołnierze przyłączeniowe w standardzie UHV do podłączenia obecnych i przyszłych urządzeń, w tym: 

  • do 10 źródeł komórek efuzyjnych na flanszach DN63CF (wysoko i niskotemperaturowe, jedno lub wielo-filamentowe),
  • niezależne przesłony na flanszach DN 63CF,
  • kraker, z zasilaczem,
  • piec elektronowy wysokiej mocy, z zasilaczem,
  • manipulator substratu z szerokim zakresem temperaturowym (w zakresie od temperatur LN2 ciekłego azotu do 1400˚C),
  • system pompowania (oparty na konfiguracji pomp próżni wstępnej, TMP, jonowych i TSP),
  • próżniomierze z wyposażeniem,
  • port wejściowy dla transferu liniowego lub walizki próżniowej,
  • waga kwarcowa z wyposażeniem do pomiaru grubości osadzania cienkich warstw, wraz z przesuwem liniowym,
  • dyfraktrometr RHEED/TorrRHEED z oprzyrządowaniem,
  • zautomatyzowana lub manualna przesłona liniowa służącą do wykonywania warstw klinowych lub masek,
  • dodatkowy system dozowania gazów np. reaktywnego procesu,
  • okna obserwacyjne z przesłonami,
  • analizator gazów resztkowych,
  • monitor strumienia wiązki,
  • podgrzewane okna dla urządzeń diagnostycznych.

Ostateczny wygląd i funkcjonalność zależy od konfiguracji aparatury. 

W razie potrzeby modułowa konstrukcja aparatury umożliwia łączenie i integrację z dowolną inną platformą badawczą za pośrednictwem radialnej komory dystrybucji lub transferu tunelowego do przenoszenia podłoży.  

System pompowania w połączeniu ze standardową objętością komory procesowej pozwala osiągnąć ciśnienie bazowe w zakresie 5×10-10 – 5×10-11 mbar, w zależności od konfiguracji pomp próżniowych. System pompowania to połączenie różnych typów pomp, np. pompy próżni wstępnej, pompy jonowe, pompy kriogeniczne, pompy turbomolekularne lub tytanowe pompy sublimacyjne, indywidualnie dobierane w celu uzyskania najlepszej wydajności pompowania zgodnie z określonymi wymaganiami aplikacji.  

Oprogramowanie sterujące procesem Synthesium umożliwia integrację i doskonałą współpracę źródeł różnych typów i producentów, a także umożliwia łatwe pisanie receptur, automatyczną kontrolę wzrostu cienkich warstw i obszerną rejestrację danych. Umożliwia integrację nowych dodatkowych komponentów opartych na platformie Open Source Tango. 

System wyposażony jest w zaawansowane, łatwe w obsłudze zasilacze i urządzenia elektroniczne sterujące i wspomagające źródła oraz całą aparaturę badawczą.

Opcje

  • Dodatkowa komora z magazynem próbek 
  • Zautomatyzowana lub manualna przesłona liniowa służącą do wykonywania warstw klinowych lub masek
  • Wewnętrzna osłona oddzielająca źródła i chroniąca przed zanieczyszczeniem siebie nawzajem 
  • Walizka próżniowa wraz z portem wejściowym w komorze załadowczej
  • Dodatkowy system dozowania gazów np. do reaktywnego procesu
  • Analizator gazów resztkowych
  • Monitor strumienia wiązki 
  • Podgrzewane okna dla urządzeń diagnostycznych
  • Pirometr
  • Komora rękawicowa

Aplikacje

Zastosowania Typy źródeł
Komórki efuzyjne Naparowywarki

elektronowe

Krakery Źródła sublimacyjne
metale Al, Co, Ni, Cu (itp.) Mo, Pd, Ta, W, Pt
grupa III/V Be, Al, Ga, In P, As, Sb C, Si domieszkowany
grupa II/VI Be, Zn, Cd S, Se, Te
grupa IV Ge, Sn, Pb Si, Ge B, P, Sb domieszkowany
tlenki Mn, Fe, Ni, Ga, Bi, Eu
izolatory

topologiczne (TI)

Ge, Sn, Te, Bi, GeSb B Se, Te

Może spodoba się również…

Zapytaj o produkt




    Co chcesz znaleźć?

    wpisz właściwą frazę

    Wpisz zapytanie i naciśnij ENTER

    Szukaj